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产品简介:
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CMLT5087E TR 是由 Central Semiconductor Corp 生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常包含多个集成的BJT晶体管,常用于需要多路晶体管控制的电路设计中。 其主要应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与接口电路:适用于数字电路与模拟电路之间的信号转换,提高系统兼容性。 2. 驱动电路:用于LED、小型继电器或步进电机等负载的驱动控制,适合工业自动化和消费电子领域。 3. 放大器电路:作为前置放大器或多级放大器中的增益单元,适用于音频或射频信号处理。 4. 开关电源与DC-DC转换器:在电源管理电路中用作高频开关元件,帮助实现高效能能量转换。 5. 嵌入式控制系统:如智能家居设备、传感器模块等,提供多通道信号控制功能。 由于其封装小巧、功耗低、性能稳定,CMLT5087E TR 广泛应用于通信设备、汽车电子、便携式电子产品及工业控制等领域。
参数 | 数值 |
品牌 | Central Semiconductor |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 两极晶体管 - BJT Dual - PNP/PNP Enhanced |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor CMLT5087E TR |
产品型号 | CMLT5087E TR |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Central Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-563 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
最大功率耗散 | 350 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
直流电流增益hFE最大值 | 900 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 350 |
系列 | CMLT5087E |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 110 mV, 225 mV |
集电极连续电流 | 100 mA |